想象一個場景：駕駛新能源汽車在高速服務區充電，僅僅十分鐘，電量從20%飆升至80%。車載空調全開，電機全力輸出，而電池管理系統穩如泰山。這背后，是功率半導體在承載著數百千瓦的能量吞吐。

再想象一個場景：戈壁灘上的光伏電站，成千上萬塊光伏板將陽光轉化為電能，源源不斷并入電網。每一次能量轉換，都需要功率器件在高溫、風沙侵蝕的惡劣環境中，以99%以上的效率穩定運行十年以上。

這些場景，正在定義下一代功率半導體的技術邊界。站在這個邊界最前沿的，是被稱為“第四代半導體明珠”的材料：氧化鎵。

長期以來，大尺寸外延片的制備難題，一直是制約氧化鎵產業化的核心瓶頸。此前全球主流技術停留在2—4英寸水平，嚴重限制了其規模化應用。

近日，記者從浙大杭州國際科創中心（以下簡稱“科創中心”）了解到，該難題被科創中心先進半導體研究院研究團隊突破。依托科創中心自主孵育的科學公司杭州鎵仁半導體有限公司，團隊成功實現高質量8英寸氧化鎵同質外延生長，在全球范圍內尚屬首次。

經權威檢測：該8英寸氧化鎵外延片平均厚度達13.05微米，厚度均勻性優異，表明外延生長過程具有良好的可控性與一致性。

鎵仁半導體的8英寸突破，將從三個層面改寫氧化鎵產業的發展軌跡。

首先是“做大”：從2—4英寸跳到8英寸，單片晶圓能造的芯片數量翻了幾倍，成本自然就被攤薄了。氧化鎵器件終于有機會從實驗室里的“奢侈品”，變成工業界用得起的“日用品”。

其次是“做精”：這次做的同質外延，就像在花崗巖地基上蓋石屋，嚴絲合縫，而不是像過去那樣在水泥地上蓋木屋，總有縫隙。材料缺陷少了，氧化鎵高耐壓、低損耗的性能才能真正發揮出來。

最關鍵的是“接軌”：8英寸正好是現在全球主流芯片產線的標配尺寸。這意味著不需要為了氧化鎵重新建一條生產線，直接用現成的設備就能量產，將加速全球氧化鎵產業的技術迭代。

可以說，氧化鎵將從實驗室的“材料奇跡”，變成產線上可批量復制的“工業基礎”。從此，耐高壓、耐高溫、高效率不再是紙面上的物理參數，而是即將裝進電動汽車、光伏電站、5G基站的真實器件。